 |
www.elektronik.si Forum o elektrotehniki in računalništvu
|
Poglej prejšnjo temo :: Poglej naslednjo temo |
Avtor |
Sporočilo |
MEK Član


Pridružen-a: Pon 29 Nov 2004 16:58 Prispevkov: 84 Aktiv.: 0.35 Kraj: Ljubljana
|
Objavljeno: Čet Jun 11, 2009 12:30 pm Naslov sporočila: |
|
|
Hvala za napotke!
IRF820, kot si predlagal, je glede charge-a veliko boljši, ampak ima precej večjo Rds. Ali to igra kakšno pomembno vlogo? Kot jaz razumem je najbolje, če je Rds čim manjša...
Dušilka:
More bit z jedrom ali brez, je lahko toroidna...? V čem bi bila sploh razlika v delovanju vezja, če bi uporabil različne?
Še to:
Prototip vezja imam sestavljen ( pravzaprav kopija HV9910BDB2 ), vendar mi je uspelo uničiti že dva čipa . Nazorno se je videlo, kako je prebilo v okolici pina 4, v obeh primerih. V drugem primeru šele potem ko sem začel trimat tok s trimerjem. Za vse seveda krivim MOS. Razlagam si tako: da MOS ni bil sposoben tako hitro preklapljat (IRF840), da je očitno na pin4 prišla previsoka napetost. Ali kdo morda tu vidi drug problem? _________________ lp, MEK |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
GJ Član


Pridružen-a: Čet 02 Nov 2006 15:51 Prispevkov: 946 Aktiv.: 4.17 Kraj: Ljubljana
|
Objavljeno: Čet Jun 11, 2009 1:40 pm Naslov sporočila: |
|
|
MEK je napisal/a: |
IRF820, kot si predlagal, je glede charge-a veliko boljši, ampak ima precej večjo Rds. Ali to igra kakšno pomembno vlogo? Kot jaz razumem je najbolje, če je Rds čim manjša... |
Rds ima vpliv, če so tokovi veliki in da so po času prisotni.
Ko se FET odpre, začne teči tok skozi tuljavo! Po določenem času bo prišla tuljava v nasičenje. Ta čas je zelo kratek in znaša, če si pravilno dimenzioniral tuljavo, okoli 1us. Preden preide tuljava v nasičenje mora FET izklopiti. Ker je vspostavljeno magnetno polje ima tuljava vloženo energijo, kar inducira nasprotno napetost, ki požene ustrezno velik tok, tega spelješ preko hitre diode skozi LED elemente!
Ker teče tok skozi FET le nekaj % časa, je Rds upornost temu primerno zanemarljiva. Poglej moje meritve na začetku teme, ki so napravljene z DSO. Zadnji dve sliki meritev nazorno prikazujeta motnje in njihovo trajanje, ki nastanejo pri vklapljanju/izklapljanju FETa.
Rds je lahko brez problema okoli 3 ohm pri močeh napajalnika okoli 10W.
MEK je napisal/a: |
Dušilka:
More bit z jedrom ali brez, je lahko toroidna...? V čem bi bila sploh razlika v delovanju vezja, če bi uporabil različne? |
Mora biti z jedrom!
Toroid je manj primeren, ker prehitro preide v nasičenje, vendar bo dovolj dobro deloval, če najdeš ustrezen toroid.
Zelo dobra dušilka je tista, ki sem ti jo predlagal. Material ferita mora biti primeren za prekvence od 20KHz naprej!
MEK je napisal/a: |
Prototip vezja imam sestavljen ( pravzaprav kopija HV9910BDB2 ), vendar mi je uspelo uničiti že dva čipa . Nazorno se je videlo, kako je prebilo v okolici pina 4, v obeh primerih. V drugem primeru šele potem ko sem začel trimat tok s trimerjem. Za vse seveda krivim MOS. Razlagam si tako: da MOS ni bil sposoben tako hitro preklapljat (IRF840), da je očitno na pin4 prišla previsoka napetost. Ali kdo morda tu vidi drug problem? |
Ne, to ne more biti res, če pa že je, potem imaš uničen/prebit FET.
Napako imaš verjetno na vezju!
LP GJ |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
MEK Član


Pridružen-a: Pon 29 Nov 2004 16:58 Prispevkov: 84 Aktiv.: 0.35 Kraj: Ljubljana
|
Objavljeno: Čet Jun 11, 2009 3:55 pm Naslov sporočila: |
|
|
Hvala za zelo nazorno in jedrnato razlago!
Kako pa določiš primerno induktivnost tuljave?
V tvojem vezju vidim, da si uporabil 680uH, medtem ko je npr. v HV9910BDB2 vezju podana vrednost 4,7mH. _________________ lp, MEK |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
GJ Član


Pridružen-a: Čet 02 Nov 2006 15:51 Prispevkov: 946 Aktiv.: 4.17 Kraj: Ljubljana
|
Objavljeno: Čet Jun 11, 2009 5:37 pm Naslov sporočila: |
|
|
MEK je napisal/a: |
Kako pa določiš primerno induktivnost tuljave?
V tvojem vezju vidim, da si uporabil 680uH, medtem ko je npr. v HV9910BDB2 vezju podana vrednost 4,7mH. |
Veliko faktorjev vpliva na to!
Najprej moraš razumeti kako deluje takšen napajalnik, razlaga in izračuni so podani v data sheetih.
Induktivnost sem jaz določal glede podatka v datasheetu tuljave in sicer Isat. Isat je 'peek current' tuljave, ko tuljava še ne preide v 100% nasičenje in znaša za omenjeno tuljavo okoli 1A. Torej, ko napetost na uporu R4 (0.2Ohm) doseže dovolj veliko vrednost, mora HV9910 izklopiti/zapreti FET, v nasprotnem boš imel nezaželjene izgube v tuljavi, tuljava pač sprejme le omejeno količino energije in ta je odvisna od velikosti in permeabilnosti jedra! Določiš jo glede na 'peek current', frekvenco preklapljanja, lastnosti jedra oziroma tuljave, dovoljeno disipacijo, moč napajalnika itd.
Manjša induktivnost tuljave potegne za seboj večje 'ripple' tokove, večje induktivnosti pa zaradi večje upornosti tuljave temu primerne večje omske izgube. Ker imam jaz relativno nizko frekvenco preklapljanja FETa, okoli 25KHz, sem si to lahko privoščil, saj se moč motenj gleda/upošteva po času.
Kako izgleda 'ripple current' mojega vezja posnetega z DSO, si lahko ogledaš na peti slikci na začetku te teme. (Pod tekstom: Napetost na 3 ohmskem uporu, ki sem ga vstavil namesto LED1. Vrednost C6 je 33uF. Večja kapacitivnost kondenzatorja C6 primerno izboljša nihanje. )
LP GJ |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
orikan Neznanec


Pridružen-a: Sre 12 Sep 2012 13:45 Prispevkov: 2 Aktiv.: 0.01 Kraj: Ljubljana
|
Objavljeno: Sre Sep 12, 2012 2:37 pm Naslov sporočila: |
|
|
Živijo!
Minilo je že precej časa od tega, ampak vseeno. GJ, bi lahko prosil za BOM tega vezja? Se mogoče spomniš, koliko približno te je vse to takrat stalo?
Hvala |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
|
|
Ne, ne moreš dodajati novih tem v tem forumu Ne, ne moreš odgovarjati na teme v tem forumu Ne, ne moreš urejati svojih prispevkov v tem forumu Ne, ne moreš brisati svojih prispevkov v tem forumu Ne ne moreš glasovati v anketi v tem forumu Ne, ne moreš pripeti datotek v tem forumu Ne, ne moreš povleči datotek v tem forumu
|
Uptime: 494 dni
Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
|