 |
www.elektronik.si Forum o elektrotehniki in računalništvu
|
Poglej prejšnjo temo :: Poglej naslednjo temo |
Avtor |
Sporočilo |
Musty Član



Pridružen-a: Sob 28 Apr 2007 8:54 Prispevkov: 1575 Aktiv.: 7.13 Kraj: Rače
|
Objavljeno: Sob Nov 29, 2014 11:01 pm Naslov sporočila: Debugiranje BQ24650 polnilec |
|
|
Razvijam open-source polnilec za LiFePO4 baterije in solarnjo napajanje za WiFi naprave. Cilj je omogočiti čimhitrejši polnilni čas, da se baterije napolnijo ko/če je sonce za krajši čas in imajo dovolj kapacitete za nekaj dni delovanja.
Sistem sem stestiral z Texas Instruments BQ24650 razvojno plato, ki deluje brez problema. Nikakor pa mi ne uspe pripraviti polnilnega dela do pravilnega delovanja zaradi problema, da se BQ24650 čip močno greje v odvisnosti od polnilnega toka, že pri dobrih 100mA se toliko segreje da hitro pade v thermal shutdown. Glede na to, da o uporabljeni eksterni mosfeti, ni močnostnega prehoda skozi sam čip. Izdelal sem dve verziji PCBjev in jih nekaj zlotal, pa ni to rešilo problema.
Shemo mojega dizajna so preverili tudi TI inženerji in ni videti neke očitne napake, meni pa je tudi že zmanjkalo izdej. Prosim za kakšen predlog in idejo, kje bi lahko ležal problem.
Kompletna dokumentacija se nahaja na: https://github.com/IRNAS/ServalRuggedBatteryPack/tree/master/electronics/V3 |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
mucek Član


 
Pridružen-a: Tor 01 Avg 2006 10:47 Prispevkov: 5530 Aktiv.: 24.06 Kraj: Domzale
|
Objavljeno: Sob Nov 29, 2014 11:53 pm Naslov sporočila: |
|
|
Lahko daš oscilograme dogajanja na gate MOSFETov? Imaš kakšen hujši ringing (glede na to, da iz BQja nimaš nobenih uporov ranga par 10 ohm proti gate)?
Predvidevam, da na razvojni plati TIja zadeva špila bp?
LP, g _________________ ...lahko pa se tudi motim ... |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
Musty Član



Pridružen-a: Sob 28 Apr 2007 8:54 Prispevkov: 1575 Aktiv.: 7.13 Kraj: Rače
|
Objavljeno: Ned Nov 30, 2014 1:24 am Naslov sporočila: |
|
|
Zadeva na TI razvojni plati špila, ni nobenega ringinga na gate od mosfetov ipd. Bom dal gor osciloskop capture, vendar so povsem enaki kot v datasheetih. |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
mujo Član


Pridružen-a: Ned 02 Jan 2005 19:24 Prispevkov: 746 Aktiv.: 3.15 Kraj: MB
|
Objavljeno: Ned Nov 30, 2014 1:25 am Naslov sporočila: |
|
|
Imaš vie pod čipom (na top se jih ne vidi, na bottom pa so)?
Smo na firmi imeli podobne težave, ki smo jih rešili z dodatnim odvajanjem toplote preko skoznjikov na spodnjo plast kjer je bil večji plane. |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
Musty Član



Pridružen-a: Sob 28 Apr 2007 8:54 Prispevkov: 1575 Aktiv.: 7.13 Kraj: Rače
|
Objavljeno: Ned Nov 30, 2014 1:28 am Naslov sporočila: |
|
|
Ja imam ja. Sem pomeril temperaturo čipa na demo plati in se sploh ne greje opazno, medtem ko moj kar hitro pride na 100stopinj. |
|
Nazaj na vrh |
|
 |
|
|
Ne, ne moreš dodajati novih tem v tem forumu Ne, ne moreš odgovarjati na teme v tem forumu Ne, ne moreš urejati svojih prispevkov v tem forumu Ne, ne moreš brisati svojih prispevkov v tem forumu Ne ne moreš glasovati v anketi v tem forumu Ne, ne moreš pripeti datotek v tem forumu Ne, ne moreš povleči datotek v tem forumu
|
Uptime: 494 dni
Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
|